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HSG1002VE-TL-E參數：IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4

類別：分立半導體產品-RF 晶體管 (BJT)
標準包裝：10,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
晶體管類型：NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：3.5V
頻率 - 躍遷：38GHz
噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）：0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
增益：8dB ~ 19.5dB
功率 - 最大值：200mW
不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 5mA，2V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：35mA
安裝類型：表面貼裝
封裝：4-SMD，鷗翼型
供應商器件封裝：4-MFPAK