FQI5N80TU
PDF資料下載

FQI5N80TU參數(shù)：MOSFET N-CH 800V 4.8A I2PAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：QFET™
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：800V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：4.8A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：2.6 歐姆 @ 2.4A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：33nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1250pF @ 25V
功率 - 最大值：3.13W
安裝類型：通孔
封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商器件封裝：I2PAK