FQI4N80TU
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FQI4N80TU參數(shù)：MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：QFET™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：800V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：3.9A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：3.6歐姆@1.95A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：25nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：880pF@25V
功率-最大值：3.13W
安裝類型：通孔
封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商器件封裝：I2PAK