FQE10N20LCTU
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FQE10N20LCTU參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 4A TO-126

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：60
系列：QFET™
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：200V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：4A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：360 毫歐 @ 2A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：19nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：490pF @ 25V
功率 - 最大值：12.8W
安裝類型：通孔
封裝：TO-225AA，TO-126-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-126