FQA6N90C_F109參數(shù):MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification: PassivationMaterial26/June/2007標(biāo)準(zhǔn)包裝:30系列:QFET™包裝:管件FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss):900V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):6A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):2.3歐姆@3A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):40nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):1770pF@25V功率-最大值:198W安裝類型:通孔封裝:TO-3P-3,SC-65-3供應(yīng)商器件封裝:TO-3PN