FDZ201N參數：MOSFET N-CH 20V 9A BGA
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：3,000系列：PowerTrench®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：9A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：18 毫歐 @ 9A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：15nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1127pF @ 10V功率 - 最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：12-WFBGA供應商器件封裝：12-BGA （2x2.5）
<li id="88s44"></li>
<center id="88s44"></center>
