FDW258P
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FDW258P參數：MOSFET P-CH 12V 9A 8-TSSOP

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：2,500
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：12V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：9A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：11 毫歐 @ 9A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：73nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5049pF @ 5V
功率 - 最大值：600mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應商器件封裝：8-TSSOP