FDV302P參數(shù)：MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：25V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：120mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：10歐姆@200mA，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：0.31nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：11pF@10V功率-最大值：350mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應(yīng)商器件封裝：SOT-23
