FDS8858CZ參數(shù)：MOSFET DUAL N/P-CHAN 30V SO-8
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：N和P溝道FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：8.6A，7.3A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：17毫歐@8.6A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：24nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1205pF@15V功率-最大值：900mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：SO-8
