FDN359AN
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FDN359AN參數：MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： WireBonding07/Nov/2008 MoldCompound08/April/2008
標準包裝：3,000
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：2.7A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：46毫歐@2.7A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：7nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：480pF@10V
功率-最大值：460mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：3-SSOT