FDMS86101參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification： Materials14/Apr/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：12.4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：8毫歐@13A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：55nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3000pF@50V功率-最大值：2.5W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PQFN，Power56供應(yīng)商器件封裝：Power56
