FDD6680A參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 14A DPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：14A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：9.5毫歐@14A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：20nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1425pF@15V功率-最大值：1.3W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：D-Pak
FAIRCTO-252(DPAK)2023+9600全新原廠原裝現(xiàn)貨
