FDD3510H
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FDD3510H參數(shù)：IC MOSFET DUAL N/P 80V DPAK-4

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：N 和 P 溝道
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：80V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：4.3A，2.8A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：80 毫歐 @ 4.3A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：18nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：800pF @ 40V
功率 - 最大值：1.3W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD
供應(yīng)商器件封裝：TO-252-4L