FDD10N20LZTM
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FDD10N20LZTM參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：UniFET™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：200V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：7.6A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：360 毫歐 @ 3.8A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：16nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：585pF @ 25V
功率 - 最大值：56W
安裝類型：接線柱安裝
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：TO-252，（D-Pak）