FDC638APZ參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類(lèi)型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平柵極，2.5V驅(qū)動(dòng)漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：4.5A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：43毫歐@4.5A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：12nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1000pF@10V功率-最大值：800mW安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：SOT-23-6細(xì)型，TSOT-23-6供應(yīng)商器件封裝：6-SSOT
