DMN2020LSN-7參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：6.9A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：20毫歐@9.4A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：11.6nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1149pF@10V功率-最大值：610mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應(yīng)商器件封裝：SC-59-3
