DDTB114GC-7-F
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DDTB114GC-7-F參數：TRANS PNP 200MW R1/2 SOT23-3

類別：分立半導體產品-晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
PCNDesign/Specification： GreenEncapsulate15/May/2008 BondWire11/Nov/2011
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
晶體管類型：PNP-預偏壓
電流-集電極(Ic)（最大值）：500mA
電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
電阻器-基底(R1)(Ω)：-
電阻器-發射極基底(R2)(Ω)：10k
不同?Ic、Vce?時的DC電流增益(hFE)（最小值）：56@5mA，5V
不同?Ib、Ic時的?Vce飽和值（最大值）：300mV@2.5mA，50mA
電流-集電極截止（最大值）：500nA
頻率-躍遷：200MHz
功率-最大值：200mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：SOT-23-3