BVSS84LT1G
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BVSS84LT1G參數(shù)：MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：50V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：130mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：10 歐姆 @ 100mA，5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：2.2nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：36pF @ 5V
功率 - 最大值：225mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3