APT60GA60JD60參數：IGBT 600V 112A 356W SOT-227
類別：半導體模塊-IGBT標準包裝：10系列：POWER MOS 8™IGBT 類型：PT配置：單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.5V @ 15V，62A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：112A電流 - 集電極截止（最大值）：275µA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：8.01nF @ 25V功率 - 最大值：356W輸入：標準NTC 熱敏電阻：無安裝類型：底座安裝封裝：SOT-227-4，miniBLOC供應商器件封裝：ISOTOP?
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