APT50GP60JDQ2參數(shù)：IGBT 600V 100A 329W SOT227
類別：半導(dǎo)體模塊-IGBT標(biāo)準(zhǔn)包裝：10系列：POWER MOS 7®IGBT 類型：PT配置：單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.7V @ 15V，50A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100A電流 - 集電極截止（最大值）：525µA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：5.7nF @ 25V功率 - 最大值：329W輸入：標(biāo)準(zhǔn)NTC 熱敏電阻：無安裝類型：底座安裝封裝：SOT-227-4，miniBLOC供應(yīng)商器件封裝：ISOTOP?
